8나노미터(nm) (1) 썸네일형 리스트형 세계 최소 플래시 메모리 개발 성공 테라비트급 8나노미터(nm) 플래시 메모리 개발 성공 (서울=뉴스와이어) 2007년03월13일-- 한국과학기술원(총장 서남표) 전자전산학과 최양규 교수팀과 나노종합팹센터(소장 이희철)는 공동연구를 통하여 실리콘 나노선(silicon nanowire)과 SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) 기술을 결합하여 세계에서 가장 작은 8nm급 3차원 차세대 비휘발성 플래시 메모리 소자를 개발하는데 성공하였다. 이번에 개발된 3차원 메모리 소자는 전자의 이동 통로인 실리콘 나노선 위에 산화막-질화막-산화막(Oxide-Nitride-Oxide, ONO)을 차례로 쌓아 올리고 이렇게 형성된 게이트 절연막(ONO)과 실리콘 나노선을 게이트가 3차원적으로 감싸고 있는 새로운 형태의 비.. 이전 1 다음